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| Numéro d'article | TSM6N60CP ROG |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1248pF @ 25V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 89W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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TSM6N50CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251 | Détails |
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TSM6N50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252 | Détails |
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TSM6N60CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251 | Détails |
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TSM6N60CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 | Détails |
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TSM6NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A ITO220 | Détails |
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TSM6NB60CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220 | Détails |
