TSM680P06CH X0G

TSM680P06CH X0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article
TSM680P06CH X0G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TSM680P06CH X0G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
261347 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.63/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TSM680P06CH X0G

TSM680P06CH X0G Description détaillée

Numéro d'article TSM680P06CH X0G
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 20W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-251 (IPAK)
Paquet / cas TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TSM680P06CH X0G