| Numéro d'article | TSM650P03CX RFG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 15V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.56W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-23 |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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.JPG "TSM6502CR RLG") |
TSM6502CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN | Détails |
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TSM650N15CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN | Détails |
-Exposed-Pad.jpg "TSM650N15CS RLG") |
TSM650N15CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP | Détails |
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TSM650P02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 | Détails |
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TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 | Détails |
