TSM250N02DCQ RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	TSM250N02DCQ RFG
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	775pF @ 10V
Puissance - Max	620mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	6-TDFN (2x2)
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TSM250N02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23	Détails
	TSM250N02DCQ RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN	Détails