TSM2323CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	TSM2323CX RFG
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.25W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TSM2301	TSC	20V P-Channel MOSFET	Détails
TSM2301ACX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23	Détails
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