TSM150P03PQ33 RGG

TSM150P03PQ33 RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article
TSM150P03PQ33 RGG
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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866125 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1901/pcs
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TSM150P03PQ33 RGG Description détaillée

Numéro d'article TSM150P03PQ33 RGG
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 29.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1829pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 27.8W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-PDFN (3x3)
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Poids -
Pays d'origine -

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