TSM120NA03CR RLG

TSM120NA03CR RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article
TSM120NA03CR RLG
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TSM120NA03CR RLG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
800205 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.20576/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TSM120NA03CR RLG

TSM120NA03CR RLG Description détaillée

Numéro d'article TSM120NA03CR RLG
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 562pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 33W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-PDFN (5x6)
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TSM120NA03CR RLG