| Numéro d'article | S8JCHM6G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 8A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 985mV @ 8A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacitance @ Vr, F | 48pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-214AB, SMC |
| Package de périphérique fournisseur | DO-214AB (SMC) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
S8J | MCC | 8 Amp Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts | Détails |
|
S8JC M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Détails |
|
S8JC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Détails |
|
S8JC V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Détails |
|
S8JC V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Détails |
|
S8JCHM6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Détails |
|
S8JCHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Détails |
