S1M-26R3G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	S1M-26R3G
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.5µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S1M	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA	Détails
S1M M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC	Détails
S1M R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC	Détails
S1M-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA	Détails
S1M-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA	Détails
S1M-26R2	Taiwan Semiconductor Corporation	GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER	Détails
S1M-26R2G	Taiwan Semiconductor Corporation	GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER	Détails
S1M-26R3	Taiwan Semiconductor Corporation	GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER	Détails
S1M-26R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER	Détails
S1M-E3/13T	VISHAY	S1M-E3/13T VISHAY SMA New Original Stocks	Détails