ES1J R3G

ES1J R3G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article
ES1J R3G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1580440 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.10418/pcs
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ES1J R3G Description détaillée

Numéro d'article ES1J R3G
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F 18pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Poids -
Pays d'origine -

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