STLD200N4F6AG

STLD200N4F6AG - STMicroelectronics

Numéro d'article
STLD200N4F6AG
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STLD200N4F6AG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
STLD200N4F6AG.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
20998 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.2845/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour STLD200N4F6AG

STLD200N4F6AG Description détaillée

Numéro d'article STLD200N4F6AG
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 172nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 75A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerFlat™ (5x6)
Paquet / cas 8-PowerSMD, Flat Leads
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR STLD200N4F6AG