| Numéro d'article | STL100N1VH5 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA (Min) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26.5nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2085pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 12.5A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerFlat™ (5x6) |
| Paquet / cas | 8-PowerVDFN |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
STL10 | SAMSUNG | STL10 SAMSUNG BGA New Original Stocks | Détails |
|
STL100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6 | Détails |
 |
STL100N12F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT | Détails |
|
STL100N1VH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56 | Détails |
 |
STL100N6LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6 | Détails |
 |
STL100N8F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT | Détails |
|
STL100NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5 | Détails |
|
STL105NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 | Détails |
,TO-226_straightlead.jpg "STL106D") |
STL106D | STMicroelectronics | TRANS NPN 230V 1.5A TO-92 | Détails |
|
STL10HN65M2 | STMicroelectronics | POWER MOSFET | Détails |
