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STGWA60H65DFB

STGWA60H65DFB - STMicroelectronics

Numéro d'article
STGWA60H65DFB
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STGWA60H65DFB Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
750 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.57/pcs
Notre prix
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STGWA60H65DFB Description détaillée

Numéro d'article STGWA60H65DFB
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A
Puissance - Max 375W
Échange d'énergie 1.59mJ (on), 900µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 306nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 66ns/210ns
Condition de test 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 60ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247 Long Leads
Poids -
Pays d'origine -

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