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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › STGP10M65DF2
STGP10M65DF2

STGP10M65DF2 - STMicroelectronics

Numéro d'article
STGP10M65DF2
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
IGBT 650V 10A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STGP10M65DF2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
265 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.25/pcs
Notre prix
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STGP10M65DF2 Description détaillée

Numéro d'article STGP10M65DF2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 20A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
Puissance - Max 115W
Échange d'énergie 120µJ (on), 270µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 28nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 19ns/91ns
Condition de test 400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 96ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-3
Package de périphérique fournisseur TO-220
Poids -
Pays d'origine -

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