STB200N6F3

STB200N6F3 - STMicroelectronics

Numéro d'article
STB200N6F3
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3627 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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STB200N6F3 Description détaillée

Numéro d'article STB200N6F3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 60A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D2PAK
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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