IRF630FP

IRF630FP - STMicroelectronics

Numéro d'article
IRF630FP
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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3775 pcs
Prix ​​de référence
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IRF630FP Description détaillée

Numéro d'article IRF630FP
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220FP
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

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