| Numéro d'article | GBU808TB |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Standard |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 800V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 8A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | 4-ESIP |
| Package de périphérique fournisseur | GBU |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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GBU10005 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 10A 50V GBU | Détails |
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GBU10005-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBU | Détails |
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GBU10005-GBU1010 | DIODES | 10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER | Détails |
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GBU10005TB | SMC Diode Solutions | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU | Détails |
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GBU10005_1 | DIODES | 10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER | Détails |
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GBU1001 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBU | Détails |
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GBU1001 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU | Détails |
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GBU10010 | DIODES | 10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER | Détails |
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GBU1001HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU | Détails |
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GBU1001TB | SMC Diode Solutions | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU | Détails |
