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| Numéro d'article | CL32C101JJFNNNE |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Capacitance | 100pF |
| Tolérance | ±5% |
| Tension - Rated | 2000V (2kV) |
| Coéfficent de température | C0G, NP0 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
| Caractéristiques | - |
| Évaluations | - |
| Applications | General Purpose |
| Taux d'échec | - |
| Type de montage | Surface Mount, MLCC |
| Paquet / cas | 1210 (3225 Metric) |
| Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | - |
| Épaisseur (Max) | 0.057" (1.45mm) |
| Espacement de plomb | - |
| Style de fil | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
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CL32C1 | EXSHINE | HC-49/US SMD Microprocessor Crystals | Détails |
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CL32C101JJFNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 100PF 2KV C0G/NP0 1210 | Détails |
%2018.jpg "CL32C101KIFNNWE") |
CL32C101KIFNNWE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 100PF 1KV C0G/NP0 1210 | Détails |
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CL32C103FBFNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 1210 | Détails |
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CL32C103GBFNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 1210 | Détails |
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CL32C103JBFNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 1210 | Détails |
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CL32C113JBHNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 0.011UF 50V C0G/NP0 1210 | Détails |
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CL32C113JBHNNNF | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 0.011UF 50V NP0 1210 | Détails |
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CL32C182JGHNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 1800PF 500V C0G/NP0 1210 | Détails |
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CL32C182JGHNNNF | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 1800PF 500V NP0 1210 | Détails |
