CIG21W4R7MNE

CIG21W4R7MNE - Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Numéro d'article
CIG21W4R7MNE
Fabricant
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Brève description
FIXED IND 4.7UH 650MA 300 MOHM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
CIG21W4R7MNE Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Fixe
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0612/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour CIG21W4R7MNE

CIG21W4R7MNE Description détaillée

Numéro d'article CIG21W4R7MNE
État de la pièce Active
Type Multilayer
Matériel - Noyau -
Inductance 4.7µH
Tolérance ±20%
Note actuelle 650mA
Courant - Saturation -
Blindage Shielded
Résistance DC (DCR) 300 mOhm
Q @ Freq -
Fréquence - Self Resonant -
Évaluations -
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Fréquence - Test 1MHz
Caractéristiques -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 0805 (2012 Metric)
Package de périphérique fournisseur -
Taille / Dimension 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Hauteur - Assis (Max) -
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR CIG21W4R7MNE