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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés › UMB3NTN
UMB3NTN

UMB3NTN - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
UMB3NTN
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
UMB3NTN Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
UMB3NTN.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
400147 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0676/pcs
Notre prix
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UMB3NTN Description détaillée

Numéro d'article UMB3NTN
État de la pièce Active
Type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA (ICBO)
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur UMT6
Poids -
Pays d'origine -

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