SH8M11TB1

SH8M11TB1 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
SH8M11TB1
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SH8M11TB1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
SH8M11TB1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
90029 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2871/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SH8M11TB1

SH8M11TB1 Description détaillée

Numéro d'article SH8M11TB1
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 10V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SH8M11TB1