SH8J65TB1

SH8J65TB1 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
SH8J65TB1
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
34569 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.7315/pcs
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SH8J65TB1 Description détaillée

Numéro d'article SH8J65TB1
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP
Poids -
Pays d'origine -

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