RGW80TS65DGC11 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	RGW80TS65DGC11
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	78A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 40A
Puissance - Max	214W
Échange d'énergie	760µJ (on), 720µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	110nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	44ns/143ns
Condition de test	400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	92ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-3
Package de périphérique fournisseur	TO-247N
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
RGW80TK65DGVC11	Rohm Semiconductor	650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT	Détails
RGW80TK65GVC11	Rohm Semiconductor	650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT	Détails
RGW80TS65DGC11	Rohm Semiconductor	650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT	Détails
RGW80TS65GC11	Rohm Semiconductor	650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT	Détails