RGTH00TS65GC11 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	RGTH00TS65GC11
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	85A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Puissance - Max	277W
Échange d'énergie	-
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	94nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	39ns/143ns
Condition de test	400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-3
Package de périphérique fournisseur	TO-247N
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	RGTH00TS65DGC11	Rohm Semiconductor	IGBT 650V 85A 277W TO-247N	Détails
	RGTH00TS65GC11	Rohm Semiconductor	IGBT 650V 85A 277W TO-247N	Détails