RGT30NS65DGTL

RGT30NS65DGTL - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
RGT30NS65DGTL
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
28318 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.9063/pcs
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RGT30NS65DGTL Description détaillée

Numéro d'article RGT30NS65DGTL
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Puissance - Max 133W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 32nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/64ns
Condition de test 400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 55ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur LPDS (TO-263S)
Poids -
Pays d'origine -

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