EMD12FHAT2R Description détaillée
| Numéro d'article |
EMD12FHAT2R |
| État de la pièce |
Active |
| Type de transistor |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) |
100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) |
- |
| Resistor - Base (R1) |
47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) |
47 kOhms |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
68 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 10mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) |
- |
| Fréquence - Transition |
250MHz |
| Puissance - Max |
150mW |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Paquet / cas |
SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur |
EMT6 |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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