DTD123TCHZGT116 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	DTD123TCHZGT116
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN - Pre-Biased + Diode
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	-
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA (ICBO)
Fréquence - Transition	200MHz
Puissance - Max	200mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	SST3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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