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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › DTC114EBT2L
DTC114EBT2L

DTC114EBT2L - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
DTC114EBT2L
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DTC114EBT2L Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3892 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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DTC114EBT2L Description détaillée

Numéro d'article DTC114EBT2L
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-923F
Package de périphérique fournisseur VMN3
Poids -
Pays d'origine -

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