BR25H010F-2CE2 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	BR25H010F-2CE2
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	EEPROM
La technologie	EEPROM
Taille mémoire	1Kb (128 x 8)
Fréquence d'horloge	10MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	4ms
Temps d'accès	-
Interface de mémoire	SPI
Tension - Alimentation	2.5 V ~ 5.5 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BR25H010-W	ROHM	HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type	Détails
BR25H010-WC	ROHM	125C Operating tempter	Détails
BR25H010-WE2	ROHM	HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type	Détails
BR25H010F-2CE2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 1KBIT 10MHZ 8SOP	Détails
BR25H010F-2LBH2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 1K SPI 10MHZ 8SOP	Détails
BR25H010F-W	ROHM	HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type	Détails
BR25H010F-WE2	ROHM	HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type	Détails
BR25H010FJ-2CE2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 1K SPI 10MHZ 8SOPJ	Détails
BR25H010FJ-W	ROHM	HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type	Détails
BR25H010FJ-WCE2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 1KBIT 5MHZ 8SOP	Détails