| Numéro d'article | UPA2816T1S-E2-AT |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33.4nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 10V |
| Vgs (Max) | +20V, -25V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 17A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Paquet / cas | 8-PowerWDFN |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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UPA2812T1L-E1-AT | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON | Détails |
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