RJM0603JSC-00#13

RJM0603JSC-00#13 - Renesas Electronics America

Numéro d'article
RJM0603JSC-00#13
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
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RJM0603JSC-00#13 Description détaillée

Numéro d'article RJM0603JSC-00#13
État de la pièce Obsolete
FET Type 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V
Puissance - Max 54W
Température de fonctionnement 175°C
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 20-HSOP
Poids -
Pays d'origine -

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