RJL6013DPE-00#J3

RJL6013DPE-00#J3 - Renesas Electronics America

Numéro d'article
RJL6013DPE-00#J3
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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RJL6013DPE-00#J3 Description détaillée

Numéro d'article RJL6013DPE-00#J3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 810 mOhm @ 5.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 4-LDPAK
Paquet / cas SC-83
Poids -
Pays d'origine -

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