RJK2511DPK-00#T0

RJK2511DPK-00#T0 - Renesas Electronics America

Numéro d'article
RJK2511DPK-00#T0
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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4140 pcs
Prix ​​de référence
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RJK2511DPK-00#T0 Description détaillée

Numéro d'article RJK2511DPK-00#T0
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 65A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 32.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-3P
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Poids -
Pays d'origine -

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