RJK0603DPN-E0#T2

RJK0603DPN-E0#T2 - Renesas Electronics America

Numéro d'article
RJK0603DPN-E0#T2
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
RJK0603DPN-E0#T2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
8682 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.96/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour RJK0603DPN-E0#T2

RJK0603DPN-E0#T2 Description détaillée

Numéro d'article RJK0603DPN-E0#T2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 40A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR RJK0603DPN-E0#T2