RJH65D27BDPQ-A0#T2

RJH65D27BDPQ-A0#T2 - Renesas Electronics America

Numéro d'article
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3050 pcs
Prix ​​de référence
USD 8.29/pcs
Notre prix
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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Description détaillée

Numéro d'article RJH65D27BDPQ-A0#T2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A
Puissance - Max 375W
Échange d'énergie 1mJ (on), 1.5mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 175nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 20ns/165ns
Condition de test 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 80ns
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247A
Poids -
Pays d'origine -

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