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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › RJH60D6DPK-00#T0
RJH60D6DPK-00#T0

RJH60D6DPK-00#T0 - Renesas Electronics America

Numéro d'article
RJH60D6DPK-00#T0
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
IGBT 600V 80A 260W TO3P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4405 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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RJH60D6DPK-00#T0 Description détaillée

Numéro d'article RJH60D6DPK-00#T0
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 40A
Puissance - Max 260W
Échange d'énergie 850µJ (on), 600µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 104nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 50ns/160ns
Condition de test 300V, 40A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 100ns
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseur TO-3P
Poids -
Pays d'origine -

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