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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › RJH60D5BDPQ-E0#T2
RJH60D5BDPQ-E0#T2

RJH60D5BDPQ-E0#T2 - Renesas Electronics America

Numéro d'article
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
IGBT 600V 75A 200W TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
RJH60D5BDPQ-E0#T2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
112 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.26/pcs
Notre prix
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RJH60D5BDPQ-E0#T2 Description détaillée

Numéro d'article RJH60D5BDPQ-E0#T2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A
Puissance - Max 200W
Échange d'énergie 400µJ (on), 810µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 78nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 50ns/130ns
Condition de test 300V, 37A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 25ns
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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