R1WV6416RSD-5SI#B0 - Renesas Electronics America

Numéro d'article	R1WV6416RSD-5SI#B0
État de la pièce	Last Time Buy
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	SRAM
La technologie	SRAM
Taille mémoire	64Mb (8M x 8, 4M x 16)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	55ns
Temps d'accès	55ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Package de périphérique fournisseur	52-TSOP II
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
R1WV6416RBG-5SI#B0	Renesas Electronics America	64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA	Détails
R1WV6416RBG-5SI#S0	Renesas Electronics America	64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA	Détails
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R1WV6416RSD-5SI#B0	Renesas Electronics America	64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP	Détails
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