NP100N055PUK-E1-AY

NP100N055PUK-E1-AY - Renesas Electronics America

Numéro d'article
NP100N055PUK-E1-AY
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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4271 pcs
Prix ​​de référence
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NP100N055PUK-E1-AY Description détaillée

Numéro d'article NP100N055PUK-E1-AY
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7350pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263 (D²Pak)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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