2SK3811-ZP-E1-AY - Renesas Electronics America

Numéro d'article	2SK3811-ZP-E1-AY
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	17700pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 55A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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