2SK2315TYTR-E

2SK2315TYTR-E - Renesas Electronics America

Numéro d'article
2SK2315TYTR-E
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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2SK2315TYTR-E Description détaillée

Numéro d'article 2SK2315TYTR-E
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 173pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 1A, 4V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur UPAK
Paquet / cas TO-243AA
Poids -
Pays d'origine -

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