2SK1058-E - Renesas Electronics America

Numéro d'article	2SK1058-E
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	160V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V
Vgs (Max)	±15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3P
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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