PG1083.152NL - Pulse Electronics Corporation

Numéro d'article	PG1083.152NL
État de la pièce	Active
Type	Wirewound
Matériel - Noyau	-
Inductance	1.5µH
Tolérance	±20%
Note actuelle	40A
Courant - Saturation	45A
Blindage	Unshielded
Résistance DC (DCR)	1.4 mOhm Max
Q @ Freq	-
Fréquence - Self Resonant	-
Évaluations	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 130°C
Fréquence - Test	-
Caractéristiques	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	Nonstandard
Package de périphérique fournisseur	-
Taille / Dimension	0.854" L x 0.846" W (21.70mm x 21.50mm)
Hauteur - Assis (Max)	0.492" (12.50mm)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PG1001	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Détails
PG1002	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Détails
PG1003	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Détails
PG1004	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Détails
PG1005	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Détails
PG1006	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Détails
PG1007	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Détails
PG1008	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Détails
PG1009	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Détails
PG100R	PANJIT	GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIERS	Détails