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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › DRA5115G0L
DRA5115G0L

DRA5115G0L - Panasonic Electronic Components

Numéro d'article
DRA5115G0L
Fabricant
Panasonic Electronic Components
Brève description
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DRA5115G0L Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
341386 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0743/pcs
Notre prix
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DRA5115G0L Description détaillée

Numéro d'article DRA5115G0L
État de la pièce Active
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 100k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-85
Package de périphérique fournisseur SMini3-F2-B
Poids -
Pays d'origine -

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