DRA2123E0L - Panasonic Electronic Components

Numéro d'article	DRA2123E0L
État de la pièce	Active
Type de transistor	PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	2.2k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	6 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	-
Puissance - Max	200mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	Mini3-G3-B
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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