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Accueil › catégories de produits › Dispositifs contre les surtensions, les surintensités et la surchauffe › TVS - Diodes › SZESD8351MUT5G
SZESD8351MUT5G

SZESD8351MUT5G - ON Semiconductor

Numéro d'article
SZESD8351MUT5G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SZESD8351MUT5G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
TVS - Diodes
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1900000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0955/pcs
Notre prix
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SZESD8351MUT5G Description détaillée

Numéro d'article SZESD8351MUT5G
État de la pièce Active
Type Zener
Canaux unidirectionnels 1
Canaux bidirectionnels -
Tension - Inverser l'écart (Typ) 3.3V (Max)
Tension - Panne (Min) 5.5V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 11.2V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) 5A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête -
Protection de ligne électrique No
Applications Automotive
Capacité @ Fréquence 0.37pF @ 1MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 2-XFDFN
Package de périphérique fournisseur 2-X3DFN (0.62x0.32)
Poids -
Pays d'origine -

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