NVMTS0D4N04CTXG - ON Semiconductor

Numéro d'article	NVMTS0D4N04CTXG
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	79.8A (Ta), 558A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.45 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	251nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	16500pF @ 20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-DFNW (8.3x8.4)
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NVMTS001N06CLTXG	ON Semiconductor	T6 60V LL PQFN88 EXPANSI	Détails
NVMTS0D4N04CLTXG	ON Semiconductor	AFSM T6 40V LL NCH	Détails
NVMTS0D4N04CTXG	ON Semiconductor	AFSM T6 40V SG NCH	Détails
NVMTS0D6N04CLTXG	ON Semiconductor	T6 40V LL PQFN88 EXPANSI	Détails
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NVMTS0D7N04CLTXG	ON Semiconductor	AFSM T6 40V LL NCH	Détails
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