NVD5803NT4G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NVD5803NT4G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3220pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DPAK
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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