NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NTZD5110NT1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
30000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0988/pcs
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NTZD5110NT1G Description détaillée

Numéro d'article NTZD5110NT1G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 294mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 24.5pF @ 20V
Puissance - Max 250mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-563
Poids -
Pays d'origine -

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