NTTFS015P03P8ZTWG - ON Semiconductor

Numéro d'article	NTTFS015P03P8ZTWG
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	62.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2706pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / cas	8-PowerWDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	NTTFS015P03P8ZTAG	ON Semiconductor	PFET U8FL 30V 15MO	Détails
	NTTFS015P03P8ZTWG	ON Semiconductor	PFET U8FL 30V 15MO	Détails